Samsung Electronics, bir zamanlar ulaşılması zor görünen “petabyte” depolama hedefine artık ulaşmayı planlıyor. Şirket, bu büyük hedefe ulaşmak için 1000 Katmanlı NAND teknolojisi ve yeni ferroelektrik malzemeler kullanmayı düşünüyor.
Samsung, Petabyte SSD hedefini 1000 Katmanlı NAND teknolojisi sayesinde gerçekleştirebilir
Samsung, NAND depolama teknolojisinde yeni bir döneme giriş yapıyor. Şirketin 9. Nesil V-NAND flash yongaları, 290 katmanlı bir yapıya sahip ve piyasada yeni bir standart belirleyecek. Samsung, daha da ileri giderek önümüzdeki yıl 430 katmanlı bir yapıya sahip 10. Nesil V-NAND’ı piyasaya sürmeyi planlıyor. Bu yenilikçi ürünlerle şirket, 1000 TB depolama kapasitesine ulaşmayı ve bu alanda önemli bir kilometre taşını geçmeyi amaçlıyor.
Honolulu’da düzenlenecek olan VLSI Teknoloji Sempozyumu’nda Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü (KAIST) araştırmacıları, ”Hafnia Ferroelectrics” adı verilen ve belirli şartlar altında ferroelektrik özellikler gösteren bir malzeme sınıfı üzerine yaptıkları araştırmanın sonuçlarını paylaşacaklar. Ferroelektrik malzemeler, daha küçük boyutlarda ve daha yüksek verimlilikte kapasitörler ile bellek geliştirmeye olanak tanıyor.
Konferansla ilgili ilk detaylar şu şekilde özetleniyor:
Hafnia Ferroelectrics’in Derinlemesine Analizi: 1000 Katmanın Ötesinde QLC 3D VNAND Deneysel Gösterimi ve ModellemesiBu araştırmada; ”FeFET” adı verilen bir tür ferroelektrik alan etkili transistörde, metal bant tasarımlı kapı ara katmanı ve ferroelektrik kanal ara katmanının birleşimi sayesinde yük yakalama ve ferroelektrik anahtarlama etkilerinin etkileşimiyle önemli ölçüde performans artışı sağlandığı gösterilmiştir. Bu yapı, FeFET’in maksimum olumlu geri bildirim sağlamasına, düşük çalışma voltajında (+17/-15 V) işlemesine, geniş bir bellek penceresine (10,5 V) sahip olmasına ve 9V’luk bir ön gerilim altında bile ihmal edilebilir düzeyde bozulma yaşamasına olanak tanımaktadır.
Ayrıca Hafnia Ferroelectrics malzemesi, 3D VNAND belleklerin gelişimini hızlandırmada önemli bir rol oynayabileceğini gösteriyor. Bu bulgular; ferroelektrik malzemenin, bellek teknolojilerindeki yenilikleri destekleyerek sektördeki durgunluğu aşmada kilit bir etken olabileceğini ortaya koyuyor.
– VLSI Teknoloji Sempozyumu
Samsung’un Ar-Ge sürecine direkt olarak katılımı olmasa da şirketle bağlantılı olduğu düşünülen bazı kişiliklerin varlığından bahsediliyor. Hafnia Ferroelectrics’in petabayt seviyesinde depolama cihazları geliştirmede ne kadar etkili olacağı henüz net değil. Ancak bu malzemenin, depolama teknolojilerinde önemli bir dönüm noktasına ulaşmamızı sağlayacak anahtar bir faktör olabileceği öngörülüyor.