Güney Kore’deki Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsündeki (KAIST) araştırmacılar, daha önceki sürümlerin eksikliklerine tabi olmayan yeni bir tür faz değişim belleği geliştirdi.
Faz değişimli bellek ya da kısaca PCM, iki fiziksel durum arasında geçiş yaparak çalışır: Kristalize (düşük dirençli) ve amorf (yüksek dirençli). Bunu DRAM ve NAND flash’ın ideal bir karışımı olarak düşünün.
DRAM hızlıdır ancak geçicidir, yani güç kesildiğinde (bilgisayarınızı kapattığınızda olduğu gibi) içinde depolanan veriler kaybolur. SSD’lerde kullanılan NAND flash bellek ise güç kesildiğinde bile verileri koruyabilir ancak DRAM’den önemli ölçüde yavaştır.
PCM hem hızlı hem de geçici değildir ancak geleneksel olarak üretimi pahalıdır ve güç tüketir (faz değişim malzemesini amorf hale getirmek için ısı gerekir, bu da enerji verimliliğini engeller).
Yüksek güç tüketimini ele almaya yönelik daha önceki çabalar, en son litografi teknikleri aracılığıyla tüm bir cihazın fiziksel boyutunu azaltmaya odaklanmıştı. Gelişmeler nominaldi ve daha küçük teknolojide üretim yapmanın içerdiği artan maliyet ve karmaşıklık haklı gösterilemezdi.
Profesör Shinhyun Choi ve ekibi, faz değiştirebilen bir nano filament oluşturmak için yalnızca faz değiştirme sürecine doğrudan dahil olan bileşenleri küçültmek için bir yöntem geliştirdi.
15 Kat Daha Az Güç Tüketimi
Yeni yaklaşım, pahalı litografi araçları kullanılarak yapılan geleneksel faz değişim belleğine kıyasla güç tüketimini 15 kat azalttı ve üretimi de çok daha ucuza mal oldu.
Yeni faz değişimli bellek, geleneksel belleğin yüksek hız, büyük bir açma/kapama oranı, küçük değişimler ve çok seviyeli bellek özellikleri gibi birçok özelliğini koruyor.
Choi, çalışmalarının sonuçlarının gelecekteki elektronik mühendisliğinin temeli olmasını beklediklerini ve yüksek yoğunluklu 3D dikey bellek, nöromorfik bilgi işlem sistemleri, uç işlemciler ve bellek içi bilgi işlem sistemleri gibi uygulamalara fayda sağlayabileceğini söyledi.
Ekibin araştırması bu ayın başlarında Nature dergisinde Faz Değiştirebilen Kendinden Konfigüre Nano-Filament ile Faz Değiştiren Bellek başlıklı bir makalede yayımlandı.